EL3H7(J)(TA)-VG

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EXSHINE Modèle de produit:	EX-EL3H7(J)(TA)-VG
Fabricant Modèle de produit:	EL3H7(J)(TA)-VG
Fabricant / Marque:	Everlight Electronics
Brève description:	OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP
État sans plomb / État RoHS:	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:	New and unused, Original
Datasheet Télécharger:	EL3H7-G Series
Application:	-
Poids:	-
Remplacement alternatif:	-

Disponibilité en temps réel pour

EL3H7(J)(TA)-VG
En stock: 39209000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

La description
Paiement
livraison
Emballage

Paramètre du produit

Tension - Sortie (max)	80V
Tension - Isolement	3750Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ)	1.2V
Vce Saturation (Max)	200mV
Activer / éteindre l'heure (Typ)	-
Package composant fournisseur	4-SSOP
Séries	-
Rise / Fall Time (Typ)	5µs, 3µs
Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	4-SOIC (0.173", 4.40mm)
Le type de sortie	Transistor
Température de fonctionnement	-55°C ~ 110°C
Nombre de canaux	1
Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	12 Weeks
Référence fabricant	EL3H7(J)(TA)-VG
Type d'entrée	DC
Description élargie	Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP
La description	OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP
Rapport du transfert de courant (min)	100% @ 10mA
Rapport du transfert de courant (max)	200% @ 10mA
Courant - Sortie / Canal	50mA
Courant - DC Forward (If) (Max)	50mA

Autres

Emballage normal	5,000

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- EverSpin Technologies est le principal développeur et fabricant de mémoire vive magnétique (MRAM), qui propose des produits MRAM autonomes et intégrés. La mémoire MRAM d’Everspin est la mémoire non volatile la plus rapide du marché. Elle offre une endurance illimitée, une fiabilité inégalée, une conservation des données de plus de 10 ans et des interfaces parallèle et série. Premier fournisseur mondial de MRAM en volume, Everspin a créé un portefeuille de propriété intellectuelle composé de plus de 600 brevets et applications actifs, dont beaucoup sont fondamentaux et essentiels pour les technologies de MRAM.

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