H11L1S(TA)-V

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H11L1S(TA)-V

EXSHINE Modèle de produit:EX-H11L1S(TA)-V
Fabricant Modèle de produit:H11L1S(TA)-V
Fabricant / Marque:Everlight Electronics
Brève description:OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6SMD
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:H11Lx Series
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
H11L1S(TA)-V
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 3 V ~ 16 V
Tension - Isolement 5000Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.15V
Package composant fournisseur 6-SMD
Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 100ns, 100ns
Délai de propagation tpLH / tpHL (Max) 4µs, 4µs
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD, Gull Wing
Le type de sortie Open Collector
Température de fonctionnement -55°C ~ 100°C
Nombre de canaux 1
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant H11L1S(TA)-V
Entrées - Côté 1 / Côté 2 1/0
Type d'entrée DC
Description élargie Logic Output Optoisolator 1MHz Open Collector 5000Vrms 1 Channel 6-SMD
La description OPTOISO 5KV OPEN COLLECTOR 6SMD
Débit de données 1MHz
Courant - Sortie / Canal 50mA
Courant - DC Forward (If) (Max) 60mA
Immunité transitoire au mode commun (min.) -

Autres

Emballage normal 1,000

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Distributeur de Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies est le principal développeur et fabricant de mémoire vive magnétique (MRAM), qui propose des produits MRAM autonomes et intégrés. La mémoire MRAM d’Everspin est la mémoire non volatile la plus rapide du marché. Elle offre une endurance illimitée, une fiabilité inégalée, une conservation des données de plus de 10 ans et des interfaces parallèle et série. Premier fournisseur mondial de MRAM en volume, Everspin a créé un portefeuille de propriété intellectuelle composé de plus de 600 brevets et applications actifs, dont beaucoup sont fondamentaux et essentiels pour les technologies de MRAM.

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