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HUFA75329D3ST

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HUFA75329D3ST

EXSHINE Modèle de produit:EX-HUFA75329D3ST
Fabricant Modèle de produit:HUFA75329D3ST
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:HUFA75329D3/D3S
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
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En stock: 96998 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252AA
Séries UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max) 128W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant HUFA75329D3ST
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 20V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 55V 20A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Tension drain-source (Vdss) 55V
La description MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)

Autres

Emballage normal 2,500

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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