74FCT3807AQG8

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74FCT3807AQG8

EXSHINE Modèle de produit:EX-74FCT3807AQG8
Fabricant Modèle de produit:74FCT3807AQG8
Fabricant / Marque:IDT (Integrated Device Technology)
Brève description:IC CLK BUFFER 1:10 100MHZ 20QSOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IDT74FCT3807/A
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 3 V ~ 3.6 V
Type Fanout Buffer (Distribution)
Package composant fournisseur 20-QSOP
Séries 74FCT
Rapport - Entrée: Sortie 1:10
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 20-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Sortie CMOS, TTL
Autres noms 800-1632-2
IDT74FCT3807AQG8
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C
Nombre de circuits 1
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 7 Weeks
Référence fabricant 74FCT3807AQG8
Contribution LVTTL
Fréquence - Max 100MHz
Description élargie Clock Fanout Buffer (Distribution) IC 100MHz 20-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Différentiel - Entrée: Sortie No/No
La description IC CLK BUFFER 1:10 100MHZ 20QSOP

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms 800-1632-2

IDT74FCT3807AQG8

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Distributeur de IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), est un leader technologique qui conçoit, développe et commercialise des circuits intégrés hautes performances pour les marchés clés suivants: (i) automobile, (ii) communications, (iii) consommateur numérique et ( iv) industriel et médical. Leurs produits principaux sont les mémoires SRAM à haute vitesse et à faible consommation d'énergie ainsi que les mémoires DRAM à faible et moyenne densité. La société conçoit et commercialise également des produits flash NOR et des circuits intégrés hautes performances à signaux analogiques et mixtes. Ils ciblent des marchés à forte croissance avec nos produits semi-conducteurs économiques et de haute qualité et cherchent à établir des relations à long terme avec nos clients. Ils ont été un fournisseur engagé à long terme de produits de mémoire, y compris de produits à faible densité et à faible volume, même pendant des périodes de capacité de production réduite.

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