IXBH2N250

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IXBH2N250

EXSHINE Modèle de produit:EX-IXBH2N250
Fabricant Modèle de produit:IXBH2N250
Fabricant / Marque:IXYS Corporation
Brève description:IGBT 2500V 5A 32W TO247
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IXB(H,T)2N250
Application:-
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IXBH2N250
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 2500V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 2A
Condition de test -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
énergie de commutation -
Package composant fournisseur TO-247AD (IXBH)
Séries BIMOSFET™
Temps de recouvrement inverse (trr) 920ns
Puissance - Max 32W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Référence fabricant IXBH2N250
Type d'entrée Standard
type de IGBT -
gate charge 10.6nC
Description élargie IGBT 2500V 5A 32W Through Hole TO-247AD (IXBH)
La description IGBT 2500V 5A 32W TO247
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 13A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 5A

Autres

Emballage normal 30

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Distributeur de IXYS

- La division Circuits intégrés IXYS, anciennement Clare, Inc., une société IXYS, conçoit, fabrique et commercialise des circuits intégrés à haute tension et des relais à semi-conducteurs optiquement isolés (OptoMOS®) destinés aux secteurs de la communication, de l'industrie, de l'alimentation et de la consommation marchés.
Pionniers dans le développement des relais à semi-conducteurs (SSR), ils sont devenus un fournisseur de premier plan dans les secteurs des télécommunications, de la sécurité, de la mesure des services publics et du contrôle industriel. Les solutions SSYS de la division de circuits intégrés IXYS remplacent rapidement les appareils électromécaniques plus anciens dans de nombreuses applications et améliorent les performances globales du système. Ils continuent à développer des produits leaders offrant des niveaux d'intégration et de performances électriques plus élevés.

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