AUIRF9952Q

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AUIRF9952Q

EXSHINE Modèle de produit:EX-AUIRF9952Q
Fabricant Modèle de produit:AUIRF9952Q
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:AUIRF9952Q
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Puissance - Max 2W
Emballage Tube
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SP001519192
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant AUIRF9952Q
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A, 2.3A

Autres

Emballage normal 95
Autres noms SP001519192

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