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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPI08CNE8N G
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IPI08CNE8N G
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-IPI08CNE8N G |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | IPI08CNE8N G |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | IP(B,I,P)08CNE8N G |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
IPI08CNE8N G
En stock: 59920 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
|---|---|
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO262-3 |
| Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 95A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 167W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms | SP000208927 SP000680708 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | IPI08CNE8N G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6690pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 99nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 85V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Tension drain-source (Vdss) | 85V |
| La description | MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 95A (Tc) |
Autres
| Autres noms | SP000208927 SP000680708 |
|---|---|
| Emballage normal | 500 |
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