IPI80P04P4L06AKSA1

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IPI80P04P4L06AKSA1

EXSHINE Modèle de produit:EX-IPI80P04P4L06AKSA1
Fabricant Modèle de produit:IPI80P04P4L06AKSA1
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET P-CH TO262-3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IPx80P04P4L-06
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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IPI80P04P4L06AKSA1
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO262-3-1
Séries Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max) 88W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms SP000842050
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant IPI80P04P4L06AKSA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6580pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 40V 80A (Tc) 88W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Tension drain-source (Vdss) 40V
La description MOSFET P-CH TO262-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

Autres

Emballage normal 500
Autres noms SP000842050

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