EMA3T2R

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EMA3T2R

EXSHINE Modèle de produit:EX-EMA3T2R
Fabricant Modèle de produit:EMA3T2R
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:EMA3, UMA3N, FMA3A
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
EMA3T2R
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Package composant fournisseur EMT5
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant EMA3T2R
Fréquence - Transition 250MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
La description TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Emballage normal 8,000

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