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EMD3T2R

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EMD3T2R

EXSHINE Modèle de produit:EX-EMD3T2R
Fabricant Modèle de produit:EMD3T2R
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:EMD3, UMD3N, IMD3A
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
EMD3T2R
En stock: 33584000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur EMT6
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666
Autres noms EMD3T2R-ND
EMD3T2RTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant EMD3T2R
Fréquence - Transition 250MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
La description TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Autres noms EMD3T2R-ND

EMD3T2RTR
Emballage normal 8,000

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