EMZ7T2R

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EMZ7T2R

EXSHINE Modèle de produit:EX-EMZ7T2R
Fabricant Modèle de produit:EMZ7T2R
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:EMZ7, UMZ7N
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
EMZ7T2R
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type NPN, PNP
Package composant fournisseur EMT6
Séries -
Puissance - Max 150mW
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte SOT-563, SOT-666
Autres noms EMZ7T2RDKR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant EMZ7T2R
Fréquence - Transition 320MHz, 260MHz
Description élargie Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 12V 500mA 320MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
La description TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA

Autres

Emballage normal 1
Autres noms EMZ7T2RDKR

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