SP8J1TB

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SP8J1TB

EXSHINE Modèle de produit:EX-SP8J1TB
Fabricant Modèle de produit:SP8J1TB
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SP8J1
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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SP8J1TB
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur 8-SOP
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 5A, 10V
Puissance - Max 2W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SP8J1TB-ND
SP8J1TBTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SP8J1TB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 2W Surface Mount 8-SOP
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A

Autres

Emballage normal 2,500
Autres noms SP8J1TB-ND

SP8J1TBTR

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