SP8K31TB1

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SP8K31TB1

EXSHINE Modèle de produit:EX-SP8K31TB1
Fabricant Modèle de produit:SP8K31TB1
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SP8K31
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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SP8K31TB1
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur 8-SOP
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 3.5A, 10V
Puissance - Max 2W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SP8K31TB1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A

Autres

Emballage normal 2,500

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