UMB1NTN

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UMB1NTN

EXSHINE Modèle de produit:EX-UMB1NTN
Fabricant Modèle de produit:UMB1NTN
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:UMA1N/B1N, FMA1A, IMB1A/5A
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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UMB1NTN
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur UMT6
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant UMB1NTN
Fréquence - Transition -
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount UMT6
La description TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Emballage normal 3,000

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