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UMF23NTR

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UMF23NTR

EXSHINE Modèle de produit:EX-UMF23NTR
Fabricant Modèle de produit:UMF23NTR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:UMF23NTR
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
UMF23NTR
En stock: 65704000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur UMT6
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant UMF23NTR
Fréquence - Transition 250MHz, 140MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount UMT6
La description TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA, 150mA

Autres

Emballage normal 3,000

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