APT150GT120JR

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APT150GT120JR

EXSHINE Modèle de produit:EX-APT150GT120JR
Fabricant Modèle de produit:APT150GT120JR
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:IGBT 1200V 170A 830W SOT227
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APT150GT120JRPower Products Catalog
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APT150GT120JR
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A
Package composant fournisseur ISOTOP®
Séries Thunderbolt IGBT®
Puissance - Max 830W
Package / Boîte ISOTOP
Autres noms APT150GT120JRMI
APT150GT120JRMI-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance No
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APT150GT120JR
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
Contribution Standard
type de IGBT NPT
Description élargie IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP®
La description IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 150µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 170A
Configuration Single

Autres

Emballage normal 1
Autres noms APT150GT120JRMI

APT150GT120JRMI-ND

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