EXSHINE Modèle de produit: | EX-PMZ250UN,315 |
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Fabricant Modèle de produit: | PMZ250UN,315 |
Fabricant / Marque: | NXP Semiconductors / Freescale |
Brève description: | MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | PMZ250UN |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
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La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | DFN1006-3 |
Séries | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 200mA, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | SC-101, SOT-883 |
Autres noms | 568-6775-2 934060157315 PMZ250UN T/R PMZ250UN T/R-ND PMZ250UN,315-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | PMZ250UN,315 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 20V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 20V 2.28A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount DFN1006-3 |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
La description | MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.28A (Tc) |
Autres noms | 568-6775-2 934060157315 PMZ250UN T/R PMZ250UN T/R-ND PMZ250UN,315-ND |
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Emballage normal | 10,000 |
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