SI1902DL-T1-GE3

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SI1902DL-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI1902DL-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI1902DL-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI1902DL
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SI1902DL-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur SC-70-6 (SOT-363)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385 mOhm @ 660mA, 4.5V
Puissance - Max 270mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms SI1902DL-T1-GE3TR
SI1902DLT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant SI1902DL-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 660mA

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI1902DL-T1-GE3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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