EXSHINE Modèle de produit: | EX-SI1902DL-T1-GE3 |
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Fabricant Modèle de produit: | SI1902DL-T1-GE3 |
Fabricant / Marque: | Vishay / Siliconix |
Brève description: | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | SI1902DL |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
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Package composant fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385 mOhm @ 660mA, 4.5V |
Puissance - Max | 270mW |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Autres noms | SI1902DL-T1-GE3TR SI1902DLT1GE3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
Référence fabricant | SI1902DL-T1-GE3 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Description élargie | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
La description | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 660mA |
Emballage normal | 3,000 |
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Autres noms | SI1902DL-T1-GE3TR SI1902DLT1GE3 |
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- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.