SI4622DY-T1-GE3

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SI4622DY-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI4622DY-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI4622DY-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI4622DY
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SI4622DY-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur 8-SO
Séries SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 9.6A, 10V
Puissance - Max 3.3W, 3.1W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SI4622DY-T1-GE3TR
SI4622DYT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SI4622DY-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2458pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A

Autres

Autres noms SI4622DY-T1-GE3TR

SI4622DYT1GE3
Emballage normal 2,500

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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