SI5855DC-T1-E3

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SI5855DC-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI5855DC-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SI5855DC-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI5855DC
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SI5855DC-T1-E3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 1.1W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms SI5855DC-T1-E3TR
SI5855DCT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SI5855DC-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
type de FET P-Channel
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)
Description élargie P-Channel 20V 2.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Ta)

Autres

Autres noms SI5855DC-T1-E3TR

SI5855DCT1E3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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