SI5902DC-T1-E3

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SI5902DC-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI5902DC-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SI5902DC-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI5902DC
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SI5902DC-T1-E3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 2.9A, 10V
Puissance - Max 1.1W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms SI5902DC-T1-E3TR
SI5902DCT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SI5902DC-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.9A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI5902DC-T1-E3TR

SI5902DCT1E3

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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