SI7909DN-T1-GE3

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SI7909DN-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI7909DN-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI7909DN-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI7909DN
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SI7909DN-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 700µA
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Puissance - Max 1.3W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 Dual
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SI7909DN-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Tension drain-source (Vdss) 12V
La description MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A

Autres

Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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