SIR418DP-T1-GE3

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SIR418DP-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIR418DP-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIR418DP-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIR418DP
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SIR418DP-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® SO-8
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte PowerPAK® SO-8
Autres noms SIR418DP-T1-GE3DKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SIR418DP-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 40V 40A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V
La description MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)

Autres

Autres noms SIR418DP-T1-GE3DKR
Emballage normal 1

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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