SIZ910DT-T1-GE3

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SIZ910DT-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIZ910DT-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIZ910DT-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SiZ901DT
Application:-
Poids:-
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SIZ910DT-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-PowerPair®
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 20A, 10V
Puissance - Max 48W, 100W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerWDFN
Autres noms SIZ910DT-T1-GE3TR
SIZ910DTT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SIZ910DT-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 48W, 100W Surface Mount 8-PowerPair®
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SIZ910DT-T1-GE3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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