ALD212900APAL

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ALD212900APAL

EXSHINE Modèle de produit:EX-ALD212900APAL
Fabricant Modèle de produit:ALD212900APAL
Fabricant / Marque:Advanced Linear Devices, Inc.
Brève description:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:ALD212900/A
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 10mV @ 20µA
Package composant fournisseur 8-PDIP
Séries EPAD®, Zero Threshold™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm
Puissance - Max 500mW
Emballage Tube
Package / Boîte 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms 1014-1215
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant ALD212900APAL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Tension drain-source (Vdss) 10.6V
La description MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80mA

Autres

Autres noms 1014-1215
Emballage normal 50

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Distributeur de Advanced Linear Devices Inc.

- Advanced Linear Devices, Inc. (ALD) développe et fabrique des circuits intégrés analogiques CMOS de précision ultra-basse consommation, des produits de carte associés, des modules de récupération d'énergie et des accessoires intégrant la technologie EPAD® exclusive à l'entreprise. Les produits semi-conducteurs standard d'ALD incluent une gamme complète de commutateurs analogiques basse tension à injection ultra-faible charge à haute performance, de convertisseurs A / N à double pente et de processeurs numériques, de comparateurs de tension de précision, de circuits de précision rail à rail Les amplificateurs opérationnels CMOS et les temporisateurs CMOS à faible dérive avec une sortie de décharge élevée, ainsi qu’une vaste sélection d’APAD en mode de mise à niveau, d’épuisement et à seuil zéro, correspond aux réseaux de transistors MOSFET de faible signal.

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