EXSHINE Modèle de produit: | EX-NE3515S02-T1C-A |
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Fabricant Modèle de produit: | NE3515S02-T1C-A |
Fabricant / Marque: | CEL (California Eastern Laboratories) |
Brève description: | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | RF Wireless BrochureNE3515S02 |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Tension - Test | 2V |
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Tension - Nominale | 4V |
Transistor Type | HFET |
Package composant fournisseur | S02 |
Séries | - |
Alimentation - sortie | 14dBm |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 4-SMD, Flat Leads |
Autres noms | NE3515S02-T1C-A-ND NE3515S02-T1C-ATR NE3515S02T1CA |
Noise Figure | 0.3dB |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | NE3515S02-T1C-A |
Gain | 12.5dB |
La fréquence | 12GHz |
Description élargie | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02 |
La description | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
Note actuelle | 88mA |
Courant - Test | 10mA |
Emballage normal | 2,000 |
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Autres noms | NE3515S02-T1C-A-ND NE3515S02-T1C-ATR NE3515S02T1CA |
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