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2N7002-G

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2N7002-G

EXSHINE Modèle de produit:EX-2N7002-G
Fabricant Modèle de produit:2N7002-G
Fabricant / Marque:Comchip Technology
Brève description:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:2N7002-G Datasheet
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
2N7002-G
En stock: 50428000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant 2N7002-G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 60V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta)

Autres

Emballage normal 3,000

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Distributeur de Comchip Technology

- CT - Concept Technologie AG (également connu sous le nom de CONCEPT) a été acquis par Power Integrations en 2012. CONCEPT était un développeur de circuits d'attaque hautement intégrés et écoénergétiques pour les modules IGBT haute tension. Ces modules sont utilisés dans une gamme d'applications de conversion d'énergie haute tension, notamment les entraînements industriels, la production d'énergie renouvelable, les trains et les tramways électriques, la transmission CC à haute tension, les voitures électriques et les équipements médicaux.
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