CJ3139KDW-G

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CJ3139KDW-G

EXSHINE Modèle de produit:EX-CJ3139KDW-G
Fabricant Modèle de produit:CJ3139KDW-G
Fabricant / Marque:Comchip Technology
Brève description:MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
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CJ3139KDW-G
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Package composant fournisseur SOT-363
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 1A, 4.5V
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms 641-1793-2
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant CJ3139KDW-G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 16V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 660mA (Ta) 150mW Surface Mount SOT-363
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 660mA (Ta)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms 641-1793-2

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Distributeur de Comchip Technology

- CT - Concept Technologie AG (également connu sous le nom de CONCEPT) a été acquis par Power Integrations en 2012. CONCEPT était un développeur de circuits d'attaque hautement intégrés et écoénergétiques pour les modules IGBT haute tension. Ces modules sont utilisés dans une gamme d'applications de conversion d'énergie haute tension, notamment les entraînements industriels, la production d'énergie renouvelable, les trains et les tramways électriques, la transmission CC à haute tension, les voitures électriques et les équipements médicaux.
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