SI8261ABC-C-ISR

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SI8261ABC-C-ISR

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI8261ABC-C-ISR
Fabricant Modèle de produit:SI8261ABC-C-ISR
Fabricant / Marque:Energy Micro (Silicon Labs)
Brève description:DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:Si826x Datasheet
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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SI8261ABC-C-ISR
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 9.4 V ~ 30 V
Tension - Isolement 3750Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ) 2.8V (Max)
La technologie Capacitive Coupling
Package composant fournisseur 8-SOIC
Séries Automotive, AEC-Q100
Rise / Fall Time (Typ) 5.5ns, 8.5ns
Distorsion de largeur d'impulsion (Max) 28ns
Délai de propagation tpLH / tpHL (Max) 60ns, 50ns
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Nombre de canaux 1
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Référence fabricant SI8261ABC-C-ISR
Description élargie 600mA Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
La description DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
Courant - Sortie crête 600mA
Courant - Sortie Haut, Bas 400mA, 600mA
Courant - DC Forward (If) (Max) 30mA
Immunité transitoire au mode commun (min.) 35kV/µs
Agréments CQC, CSA, UR, VDE

Autres

Emballage normal 2,500

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Distributeur de Silicon Labs

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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