4N36S1(TB)-V

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4N36S1(TB)-V

EXSHINE Modèle de produit:EX-4N36S1(TB)-V
Fabricant Modèle de produit:4N36S1(TB)-V
Fabricant / Marque:Everlight Electronics
Brève description:OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:4N2x,3x,H11Ax Series
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
4N36S1(TB)-V
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - Sortie (max) 80V
Tension - Isolement 5000Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Vce Saturation (Max) 300mV
Activer / éteindre l'heure (Typ) 10µs, 9µs
Package composant fournisseur 6-SMD
Séries -
Rise / Fall Time (Typ) -
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD, Gull Wing
Le type de sortie Transistor with Base
Température de fonctionnement -55°C ~ 110°C
Nombre de canaux 1
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant 4N36S1(TB)-V
Type d'entrée DC
Description élargie Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD
La description OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD
Rapport du transfert de courant (min) 100% @ 10mA
Rapport du transfert de courant (max) -
Courant - Sortie / Canal -
Courant - DC Forward (If) (Max) 60mA

Autres

Emballage normal 1,000

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Distributeur de Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies est le principal développeur et fabricant de mémoire vive magnétique (MRAM), qui propose des produits MRAM autonomes et intégrés. La mémoire MRAM d’Everspin est la mémoire non volatile la plus rapide du marché. Elle offre une endurance illimitée, une fiabilité inégalée, une conservation des données de plus de 10 ans et des interfaces parallèle et série. Premier fournisseur mondial de MRAM en volume, Everspin a créé un portefeuille de propriété intellectuelle composé de plus de 600 brevets et applications actifs, dont beaucoup sont fondamentaux et essentiels pour les technologies de MRAM.

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