CNY17F-3S1(TB)

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CNY17F-3S1(TB)

EXSHINE Modèle de produit:EX-CNY17F-3S1(TB)
Fabricant Modèle de produit:CNY17F-3S1(TB)
Fabricant / Marque:Everlight Electronics
Brève description:OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-SMD
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:CNY17(F)-x Series
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
CNY17F-3S1(TB)
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Tension - Sortie (max) 80V
Tension - Isolement 5000Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.65V (Max)
Vce Saturation (Max) 300mV
Activer / éteindre l'heure (Typ) 10µs, 9µs
Package composant fournisseur 6-SMD
Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 6µs, 8µs
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD, Gull Wing
Le type de sortie Transistor
Température de fonctionnement -55°C ~ 110°C
Nombre de canaux 1
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant CNY17F-3S1(TB)
Type d'entrée DC
Description élargie Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD
La description OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-SMD
Rapport du transfert de courant (min) 100% @ 10mA
Rapport du transfert de courant (max) 200% @ 10mA
Courant - Sortie / Canal -
Courant - DC Forward (If) (Max) 60mA

Autres

Emballage normal 1,000

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Distributeur de Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies est le principal développeur et fabricant de mémoire vive magnétique (MRAM), qui propose des produits MRAM autonomes et intégrés. La mémoire MRAM d’Everspin est la mémoire non volatile la plus rapide du marché. Elle offre une endurance illimitée, une fiabilité inégalée, une conservation des données de plus de 10 ans et des interfaces parallèle et série. Premier fournisseur mondial de MRAM en volume, Everspin a créé un portefeuille de propriété intellectuelle composé de plus de 600 brevets et applications actifs, dont beaucoup sont fondamentaux et essentiels pour les technologies de MRAM.

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