ELD213(TB)

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ELD213(TB)

EXSHINE Modèle de produit:EX-ELD213(TB)
Fabricant Modèle de produit:ELD213(TB)
Fabricant / Marque:Everlight Electronics
Brève description:OPTOISO 3.75KV 2CH TRANS 8-SOP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:ELD20x,21x Series
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
ELD213(TB)
En stock: 20550000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Sortie (max) 80V
Tension - Isolement 3750Vrms
Tension - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Vce Saturation (Max) 400mV
Activer / éteindre l'heure (Typ) 5µs, 4µs
Package composant fournisseur 8-SOP
Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 1.6µs, 2.2µs
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Le type de sortie Transistor
Température de fonctionnement -55°C ~ 110°C
Nombre de canaux 2
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Référence fabricant ELD213(TB)
Type d'entrée DC
Description élargie Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 2 Channel 8-SOP
La description OPTOISO 3.75KV 2CH TRANS 8-SOP
Rapport du transfert de courant (min) 100% @ 10mA
Rapport du transfert de courant (max) -
Courant - Sortie / Canal -
Courant - DC Forward (If) (Max) 60mA

Autres

Emballage normal 2,000

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Distributeur de Everlight Electronics Co Ltd

- EverSpin Technologies est le principal développeur et fabricant de mémoire vive magnétique (MRAM), qui propose des produits MRAM autonomes et intégrés. La mémoire MRAM d’Everspin est la mémoire non volatile la plus rapide du marché. Elle offre une endurance illimitée, une fiabilité inégalée, une conservation des données de plus de 10 ans et des interfaces parallèle et série. Premier fournisseur mondial de MRAM en volume, Everspin a créé un portefeuille de propriété intellectuelle composé de plus de 600 brevets et applications actifs, dont beaucoup sont fondamentaux et essentiels pour les technologies de MRAM.

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