FCA16N60N

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FCA16N60N

EXSHINE Modèle de produit:EX-FCA16N60N
Fabricant Modèle de produit:FCA16N60N
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 600V TO-3PN
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FCA16N60N
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FCA16N60N
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-3P
Séries SupreMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199 mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max) 134.4W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 13 Weeks
Référence fabricant FCA16N60N
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 52.3nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 600V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-3P
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V
La description MOSFET N-CH 600V TO-3PN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)

Autres

Emballage normal 30

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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