FCH041N65EFL4

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EXSHINE Modèle de produit:	EX-FCH041N65EFL4
Fabricant Modèle de produit:	FCH041N65EFL4
Fabricant / Marque:	Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:	MOSFET N-CH 650V 76A
État sans plomb / État RoHS:	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:	New and unused, Original
Datasheet Télécharger:	FCH041N65EFL4 Datasheet
Application:	-
Poids:	-
Remplacement alternatif:	-

Disponibilité en temps réel pour

FCH041N65EFL4
En stock: 30900 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

La description
Paiement
livraison
Emballage

Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 7.6mA
Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	TO-247-4L
Séries	FRFET®, SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 38A, 10V
Dissipation de puissance (max)	595W (Tc)
Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-4
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	37 Weeks
Référence fabricant	FCH041N65EFL4
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12560pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	298nC @ 10V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Description élargie	N-Channel 650V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	650V
La description	MOSFET N-CH 650V 76A
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	76A (Tc)

Autres

Emballage normal	30

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