FCPF1300N80ZYD

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EXSHINE Modèle de produit:	EX-FCPF1300N80ZYD
Fabricant Modèle de produit:	FCPF1300N80ZYD
Fabricant / Marque:	Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
État sans plomb / État RoHS:	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:	New and unused, Original
Datasheet Télécharger:	FCPF1300N80Z
Application:	-
Poids:	-
Remplacement alternatif:	-

Disponibilité en temps réel pour

FCPF1300N80ZYD
En stock: 82430 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

La description
Paiement
livraison
Emballage

Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 400µA
Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	TO-220F-3 (Y-Forming)
Séries	SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	24W (Tc)
Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	6 Weeks
Référence fabricant	FCPF1300N80ZYD
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	880pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Description élargie	N-Channel 800V 4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	800V
La description	MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc)

Autres

Emballage normal	50

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