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FDB070AN06A0_F085

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EXSHINE Modèle de produit:EX-FDB070AN06A0_F085
Fabricant Modèle de produit:FDB070AN06A0_F085
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FDB070AN06A0_F085
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
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En stock: 19430 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max) 175W (Tc)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms FDB070AN06A0_F085DKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Référence fabricant FDB070AN06A0_F085
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 60V 15A (Ta) 175W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta)

Autres

Emballage normal 1
Autres noms FDB070AN06A0_F085DKR

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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