FDB16AN08A0

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FDB16AN08A0

EXSHINE Modèle de produit:EX-FDB16AN08A0
Fabricant Modèle de produit:FDB16AN08A0
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Séries PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 58A, 10V
Dissipation de puissance (max) 135W (Tc)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms FDB16AN08A0DKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Référence fabricant FDB16AN08A0
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1857pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 75V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 75V
La description MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 58A (Tc)

Autres

Emballage normal 1
Autres noms FDB16AN08A0DKR

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

- Le groupe FDK souhaite contribuer à la mise en place d’une société électronique riche en fabriquant et en fournissant des dispositifs électroniques et des batteries répondant aux besoins de ses clients. Fidèle à son approche centrée sur le client, FDK fournit des produits destinés à accroître la valeur et la fonctionnalité des produits de nos clients. Nos technologies de matériaux, circuits et haute densité sont cultivées depuis longtemps et utilisent des produits écologiques. Nous nous efforçons d'être reconnus dans le monde entier comme l'un des meilleurs fournisseurs d'appareils clés et à la pointe de la technologie et de faire progresser les technologies émergentes tout en favorisant la protection de l'environnement.

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