FDB8442_F085

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EXSHINE Modèle de produit:	EX-FDB8442_F085
Fabricant Modèle de produit:	FDB8442_F085
Fabricant / Marque:	Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:	MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
État sans plomb / État RoHS:	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:	New and unused, Original
Datasheet Télécharger:	FDB8442_F085
Application:	-
Poids:	-
Remplacement alternatif:	-

Disponibilité en temps réel pour

FDB8442_F085
En stock: 18870 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

La description
Paiement
livraison
Emballage

Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Séries	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)	254W (Tc)
Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms	FDB8442_F085TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	16 Weeks
Référence fabricant	FDB8442_F085
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Description élargie	N-Channel 40V 28A (Ta) 254W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	40V
La description	MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	28A (Ta)

Autres

Emballage normal	800
Autres noms	FDB8442_F085TR

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