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FDD6N50TM_F085

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FDD6N50TM_F085

EXSHINE Modèle de produit:EX-FDD6N50TM_F085
Fabricant Modèle de produit:FDD6N50TM_F085
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FDD6N50TM_F085
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
FDD6N50TM_F085
En stock: 60537000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-Pak
Séries Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max) 89W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms FDD6N50TM_F085-ND
FDD6N50TM_F085TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 13 Weeks
Référence fabricant FDD6N50TM_F085
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.6nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V
La description MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)

Autres

Autres noms FDD6N50TM_F085-ND

FDD6N50TM_F085TR
Emballage normal 2,500

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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