FDD86367_F085

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EXSHINE Modèle de produit:	EX-FDD86367_F085
Fabricant Modèle de produit:	FDD86367_F085
Fabricant / Marque:	Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:	MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
État sans plomb / État RoHS:	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:	New and unused, Original
Datasheet Télécharger:	FDD86367_F085
Application:	-
Poids:	-
Remplacement alternatif:	-

Disponibilité en temps réel pour

FDD86367_F085
En stock: 92218000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

La description
Paiement
livraison
Emballage

Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	D-PAK (TO-252AA)
Séries	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)	227W (Tj)
Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms	FDD86367_F085TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	6 Weeks
Référence fabricant	FDD86367_F085
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4840pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Description élargie	N-Channel 80V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	80V
La description	MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)

Autres

Autres noms	FDD86367_F085TR
Emballage normal	2,500

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