FDG315N

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FDG315N

EXSHINE Modèle de produit:EX-FDG315N
Fabricant Modèle de produit:FDG315N
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FDG315N
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FDG315N
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SC-70-6
Séries PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max) 750mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms FDG315N-ND
FDG315NTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 9 Weeks
Référence fabricant FDG315N
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)

Autres

Autres noms FDG315N-ND

FDG315NTR
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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