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FDMC8010ET30

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FDMC8010ET30

EXSHINE Modèle de produit:EX-FDMC8010ET30
Fabricant Modèle de produit:FDMC8010ET30
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FDMC8010ET30
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
FDMC8010ET30
En stock: 66546000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Séries PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte 8-PowerWDFN
Autres noms FDMC8010ET30DKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 26 Weeks
Référence fabricant FDMC8010ET30
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5860pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 30A (Ta), 174A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta), 174A (Tc)

Autres

Emballage normal 1
Autres noms FDMC8010ET30DKR

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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