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FDMS3669S
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-FDMS3669S |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | FDMS3669S |
| Fabricant / Marque: | Fairchild/ON Semiconductor |
| Brève description: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | FDMS3669S |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
FDMS3669S
En stock: 31220000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 31220000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Séries | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 13A, 10V |
| Puissance - Max | 1W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Autres noms | FDMS3669STR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 26 Weeks |
| Référence fabricant | FDMS3669S |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1605pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Description élargie | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 13A, 18A |
Autres
| Autres noms | FDMS3669STR |
|---|---|
| Emballage normal | 3,000 |
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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor
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