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FDS8333C

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FDS8333C

EXSHINE Modèle de produit:EX-FDS8333C
Fabricant Modèle de produit:FDS8333C
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FDS8333C
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
FDS8333C
En stock: 18361 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO
Séries PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 4.1A, 10V
Puissance - Max 900mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant FDS8333C
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 282pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 4.5V
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.1A, 3.4A

Autres

Emballage normal 2,500

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

- Le groupe FDK souhaite contribuer à la mise en place d’une société électronique riche en fabriquant et en fournissant des dispositifs électroniques et des batteries répondant aux besoins de ses clients. Fidèle à son approche centrée sur le client, FDK fournit des produits destinés à accroître la valeur et la fonctionnalité des produits de nos clients. Nos technologies de matériaux, circuits et haute densité sont cultivées depuis longtemps et utilisent des produits écologiques. Nous nous efforçons d'être reconnus dans le monde entier comme l'un des meilleurs fournisseurs d'appareils clés et à la pointe de la technologie et de faire progresser les technologies émergentes tout en favorisant la protection de l'environnement.

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