FGA6540WDF

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FGA6540WDF

EXSHINE Modèle de produit:EX-FGA6540WDF
Fabricant Modèle de produit:FGA6540WDF
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:IGBT 650V 80A 238W TO-3PN
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A
Condition de test 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 16.8ns/54.4ns
énergie de commutation 1.37mJ (on), 250µJ (off)
Package composant fournisseur TO-3PN
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 101ns
Puissance - Max 238W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 32 Weeks
Référence fabricant FGA6540WDF
Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 55.5nC
Description élargie IGBT Trench Field Stop 650V 80A 238W Through Hole TO-3PN
La description IGBT 650V 80A 238W TO-3PN
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 80A

Autres

Emballage normal 30

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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