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FGB5N60UNDF

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FGB5N60UNDF

EXSHINE Modèle de produit:EX-FGB5N60UNDF
Fabricant Modèle de produit:FGB5N60UNDF
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FGB5N60UNDF
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
FGB5N60UNDF
En stock: 31506000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 5A
Condition de test 400V, 5A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 5.4ns/25.4ns
énergie de commutation 80µJ (on), 70µJ (off)
Package composant fournisseur TO-263AB (D²PAK)
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 35ns
Puissance - Max 73.5W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 35 Weeks
Référence fabricant FGB5N60UNDF
Type d'entrée Standard
type de IGBT NPT
gate charge 12.1nC
Description élargie IGBT NPT 600V 10A 73.5W Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
La description IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 15A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 10A

Autres

Emballage normal 800

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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