FGL60N100BNTDTU

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FGL60N100BNTDTU

EXSHINE Modèle de produit:EX-FGL60N100BNTDTU
Fabricant Modèle de produit:FGL60N100BNTDTU
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:IGBT 1000V 60A 180W TO264
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FGL60N100BNTD
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1000V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Condition de test 600V, 60A, 51 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 140ns/630ns
énergie de commutation -
Package composant fournisseur TO-264
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.2µs
Puissance - Max 180W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant FGL60N100BNTDTU
Type d'entrée Standard
type de IGBT NPT and Trench
gate charge 275nC
Description élargie IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
La description IGBT 1000V 60A 180W TO264
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60A

Autres

Emballage normal 25

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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