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FGPF10N60UNDF

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FGPF10N60UNDF

EXSHINE Modèle de produit:EX-FGPF10N60UNDF
Fabricant Modèle de produit:FGPF10N60UNDF
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:IGBT 600V 20A 42W TO-220F
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:FGPF10N60UNDF
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
FGPF10N60UNDF
En stock: 42450 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 10A
Condition de test 400V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 8ns/52.2ns
énergie de commutation 150µJ (on), 50µJ (off)
Package composant fournisseur TO-220F-3
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 37.7ns
Puissance - Max 42W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 35 Weeks
Référence fabricant FGPF10N60UNDF
Type d'entrée Standard
type de IGBT NPT
gate charge 37nC
Description élargie IGBT NPT 600V 20A 42W Through Hole TO-220F-3
La description IGBT 600V 20A 42W TO-220F
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 30A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 20A

Autres

Emballage normal 50

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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