FJV3111RMTF

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FJV3111RMTF

EXSHINE Modèle de produit:EX-FJV3111RMTF
Fabricant Modèle de produit:FJV3111RMTF
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FJV3111RMolded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
Application:-
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FJV3111RMTF
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant FJV3111RMTF
Fréquence - Transition 250MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Emballage normal 3,000

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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