FQB3N25TM

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FQB3N25TM

EXSHINE Modèle de produit:EX-FQB3N25TM
Fabricant Modèle de produit:FQB3N25TM
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:FQB, FQI3N25
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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FQB3N25TM
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Séries QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 1.4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 45W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant FQB3N25TM
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 250V 2.8A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tension drain-source (Vdss) 250V
La description MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Tc)

Autres

Emballage normal 800

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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